| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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BSS126E6906 |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | Infineon Technologies | 168 | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ：  |
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BSS126E6906参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 600V 21MA SOT-23 包装数量：3000 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：耗尽模式 漏源极电压 (Vdss)：600V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：21mA 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：500 欧姆 @ 16mA，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.6V @ 8µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2.1nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：28pF @ 25V 功率 - 最大值：500mW 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： 薄膜电容器ECQ-E2825KFB 电路板衬垫，支座R907-7 信号，高达 2 AG6AK-234P-ST40-US-DC9 Card EdgeECC12DCAT 单二极管/齐纳BZX884-B20,315 陶瓷电容器C1206C183KARACTU LED - 分立式C4SMF-RJS-CT0W0BB2 PTC 可复位保险0ZCD0260FF2C 振荡器CSX325FHC13.500M-UT PMIC - 监控X5083PI-2.7 |
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